Nano Semiconductors eröffnet das weltweit erste GaN Power Chip Design Center für Elektroautos

GaN-Leistungschips der nächsten Generation werden die Verbreitung von Elektrofahrzeugen mit schnellerer Aufladung und längerer Fahrzeit um drei Jahre beschleunigen und die CO2-Emissionen im Straßenverkehr um 20 Prozent senken

Peking, 14. Januar 2022 – Navitas Semiconductor (NASDAQ: NVTS), ein branchenführender Hersteller von Galliumnitrid (GaN)-Leistungschips, gab die Eröffnung eines neuen Designzentrums für Elektrofahrzeuge (EV) bekannt, um den GaN-Markt für höhere Leistungen weiter auszubauen. Im Vergleich zu herkömmlichen Siliziumlösungen können GaN-basierte On-Board-Ladegeräte (OBCs) schätzungsweise bis zu dreimal schneller laden und bis zu 70 % Energie sparen. Man geht davon aus, dass GaN-OBCs, DC-DC-Wandler und Traktionswechselrichter die Reichweite von Elektrofahrzeugen erhöhen oder die Batteriekosten um 5 % senken werden, und dass GaN-Leistungschips die weltweite Einführung von Elektrofahrzeugen im Vergleich zur ursprünglichen Verwendung von Siliziumchips voraussichtlich um drei Jahre beschleunigen werden. Es wird davon ausgegangen, dass die Umrüstung von Elektrofahrzeugen auf GaN die CO2-Emissionen im Straßenverkehr bis 2050 um 20 % pro Jahr reduzieren wird, was dem Emissionsreduktionsziel des Pariser Abkommens entspricht.

Galliumnitrid (GaN)-Bauteile sind führend in der Leistungshalbleitertechnologie und arbeiten bis zu 20 Mal schneller als herkömmliche Siliziumchips. Der GaNFast-Leistungschip von navitas integriert GaN-Leistung, GaN-Antrieb, Schutz und Steuerung. Hohe Geschwindigkeit und Effizienz sind zum neuen Industriestandard für Energieeffizienz, hohe Leistungsdichte, niedrige Kosten und höhere Zuverlässigkeit geworden.

Das neue Konstruktionszentrum in Shanghai, China, beherbergt ein erfahrenes Team von erstklassigen Konstrukteuren für Stromversorgungssysteme mit umfassenden Fähigkeiten in den Bereichen elektrisches, thermisches und mechanisches Design, Softwareentwicklung sowie umfassende Simulations- und Prototyping-Fähigkeiten. Das neue Team wird Kunden von Elektrofahrzeugen auf globaler Ebene unterstützen, vom Konzept über den Prototyp bis hin zur vollständigen Zertifizierung und Massenproduktion.

Das Designzentrum wird Schaltpläne, Layouts und Firmware für voll funktionsfähige, produktreife Elektrofahrzeug-Antriebsstränge entwickeln“, sagte Hao Sun, renommierter Experte für die Elektrofahrzeugbranche und neuer Senior Director des Designzentrums in Shanghai. navitas wird mit Unternehmen aus den Bereichen OBC, DC-DC und Traktionssysteme zusammenarbeiten, um innovative Produkte von Weltklasse zu entwickeln. Lösungen, um GaN in den Mainstream der Elektrofahrzeuge zu bringen“.

Leistungsstarke 650-V-GaN-ICs, die auf EV-Anwendungen zugeschnitten sind, werden bereits im Dezember 2021 an EV-Kunden ausgeliefert. Das 6,6-kW-OBC-Konzeptmodell wurde kürzlich auf dem Xiaomi Production Pitch Day und später auf der CES vorgestellt.

„Das Team von Nanoweb EV verfügt über eine Fülle von Talenten und nachweislicher Erfahrung bei der Bereitstellung von Stromversorgungssystemen“, sagte Yingjie Cha, Vice President und General Manager von Nanoweb Semiconductor China. „Elektrofahrzeuge sind ein aufregender Expansionsmarkt für GaN, mit einem geschätzten Wert von 250 Dollar pro EV innerhalb von GaN. Markt für Markt dringt Navitas rasch in Anwendungen mit höherer Leistung vor, wie z. B. Elektrofahrzeuge, Rechenzentren und Solaranlagen.

Die Herstellung von Galliumnitrid-Leistungschips verursacht 10-mal weniger CO2-Emissionen als Siliziumchips. Berücksichtigt man den Wirkungsgrad sowie die Größen- und Gewichtsvorteile des Materials, so kann jeder ausgelieferte nano-GaN-Leistungschip im Vergleich zu Silizium etwa 4 kg CO2 einsparen. Insgesamt wird erwartet, dass GaN bis zum Jahr 2050 zu einer Verringerung der CO2-Emissionen um 2,6 Gt pro Jahr beitragen kann.

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